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[供應(yīng)] 屏蔽磁鐵磁性的材料/隔離磁鐵對元器件干擾的材料

有 效 期:永久

產(chǎn)品規(guī)格:1000mm*60M

產(chǎn)品數(shù)量:20000000

包裝說明:常規(guī)包裝

價格說明:10

快速聯(lián)系:0755-23112116 / 18718675588 龍生(先生)

詳細說明:

產(chǎn)品名稱:屏蔽磁鐵磁場的材料|隔離永磁鐵磁場干擾的材料

材料規(guī)格:1000mmx60Mx0.1mm(柔性卷材)

屏蔽頻率:100Hz-3000KHz

磁鐵屏蔽率:99.99%

供應(yīng)企業(yè):深圳市兆榮軟磁材料有限公司

我們知道磁鐵產(chǎn)生的磁場容易對**些磁敏原件造成干擾,導致原件無法正常工作,從而影響設(shè)備的整體性能,這時候我們需要**款能夠屏蔽永磁鐵磁場的材料來對磁鐵的干擾來進行屏蔽,這是對磁鐵干擾**快捷的屏蔽解決方案了。

我公司從事研發(fā)生產(chǎn)能夠屏蔽磁鐵干擾的**種高性能材料,它可以隔離磁鐵的**面不輻射磁場,也可以包裹整個磁體實現(xiàn)磁場的完全屏蔽,都知道磁鐵在從N**走向S**的閉合磁場循環(huán)中磁場容易不受限制的在磁鐵的周圍進行輻射,這時候想要屏蔽這種輻射需要**種特殊的磁鐵屏蔽材料來解決,通過把磁場束縛在**定范圍防止在不需要的地方產(chǎn)生磁場或者磁吸力。

歡迎聯(lián)系我公司進行購買,現(xiàn)貨供應(yīng)!

GMR傳感器作為**種靈敏度非常高的磁性傳感器,可以預見未來的廣泛應(yīng)用。但用戶**其關(guān)心的**個問題是抗磁干擾問題。為解決此問題有多種方案,但**主要的是磁屏蔽,以下是關(guān)于磁屏蔽的相關(guān)論述。(資料主要來源:The MuShield Company,Inc. 僅供參考,不負相關(guān)責任。)

如果你要設(shè)計自己的磁屏蔽系統(tǒng),你會發(fā)現(xiàn)以下的信息是很有用的。

磁屏蔽目的:通常是保護電子線路免于受到諸如永磁體、變壓器、電機、線圈、電纜等產(chǎn)生磁場的干擾,當然屏蔽強的磁干擾源使它免于干擾附近的元器件功能也是**個重要的應(yīng)用目的。 磁屏蔽材料參數(shù)及材料劃分:磁屏蔽體由磁性材料制成,衡量材料導磁能力的參數(shù)是磁導率,通常以數(shù)字來表示相對大小。真空磁導率為1,屏蔽材料的磁導率從200到350000;磁屏蔽材料的另**個重要參數(shù)是飽和磁化強度。磁屏蔽材料**般分為三類,即高導磁材料、中導磁材料和高飽和材料。

高飽和磁導率材料的磁導率在80000-350000之間,經(jīng)熱處理后其飽和場可達7500Gs;中磁導率材料通常和高導材料**起使用,其磁導率值從12500-150000,飽和場15500Gs;高飽和場的磁導率值為200-50000,飽和場可達18000-21000Gs。

以下是**些常用量的定義:

Gs:磁通密度的**,相當于每平方厘米面積上有**條磁力線通過。

磁通量:由磁場產(chǎn)生的所有磁力線的總和。
飽和磁場:即材料磁感應(yīng)強度漸趨于**恒定值時對應(yīng)的磁場。

B:屏蔽體中的磁通密度,**Gs。

d:屏蔽體直徑(注:當屏蔽體為矩形時指**長邊的尺寸)。

Ho:外場強度,**Oe。

μ:材料磁導率。

A:衰減量(相對值)。

t:屏蔽體厚度。

磁場強度:屏蔽體中磁場強度估算用下面公式: B=2.5dHo/2t(Gs)

     如用厚度為0.060″的材料制成直徑為1.5″的屏蔽體,在80Gs的磁場中其內(nèi)部磁場為2500Gs。

屏蔽體厚度:用以下公式估算: t=Ad/μ(英寸)

       如用磁導率為80000的材料制成直徑為1.5″的屏蔽體,當要求實現(xiàn)1000/1的衰減量時,屏蔽體的厚度為 t=1000×1.5/80000=0.019″
       厚度設(shè)計還應(yīng)綜合考慮性價比的因素,**般屏蔽材料的磁導率應(yīng)不低于80000,否則就要增加厚度以達到同樣的屏蔽效果,則會導致費用的增加。
        當場強很強時,厚度的選取應(yīng)使材料工作于磁導率**大的場強下。如當材料的磁導率在場強為2300-2500Gs時磁導率**大,則所需厚度為 t=1.25dHo/B(英寸)
       如直徑1.5″,長度6″的屏蔽體置于80Gs的磁場中,所需的厚度是0.060″。

磁場衰減率:用下式估算: A=μt/d

       用此式對上面的數(shù)據(jù)計算可得到,當材料磁導率為350000時,其衰減率為14000。

磁通密度:被屏蔽空間內(nèi)磁通密度為 B=Ho/A(Gs)


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