業內根據LED芯片尺寸的大小，來定義不同的LED技術。比如，當LED芯片尺寸小于150μm時，被稱為mini LED；而當LED芯片尺寸在50μm以下時，被稱作micro LED。伴隨背光LED芯片尺寸越來越小，顯示面板的結構也隨之發生變化。
當LED芯片的尺寸小到像素級別時，每一個像素對應一個micro LED芯片。由于micro LED可自發光，能控制明滅、亮度和色彩，較之于傳統的LCD屏幕，micro LED可省去液晶層、濾光片結構。
micro LED的屏幕結構與OLED較接近，都具備像素自發光、結構簡單、發光效率高的特點。不過，micro LED的材料壽命遠高于OLED有機發光二極管，其穩定性也更強。
從技術成熟度來看，micro LED離真正的規模化量產還有一定的距離，其量產成本仍居高不下。實際上，OLED早年也經歷過這一時期，雖然現在OLED的大屏成本仍遠高于LCD，但是已經達到能被普通家庭用戶接受的范圍。
以過去的經驗來看，隨著micro LED技術的成熟，OLED和LCD（mini LED屬于LCD范疇）是否會被替代？或許這個答案并不簡單。
micro LED離大屏制造還略為遙遠
首先，需要明確的是，micro LED在發展前期，很難應用在大面板上。就如OLED一樣，micro LED大面板制造工藝極大程度受制于良率和成本。
LED芯片變小，其帶來的價值比大家預想的更大。如果觀察micro LED的制造流程，發現它從wafer上生長出來，最終需要被轉移到屏幕背板（back plane）上。如果一塊屏幕的分辨率是1920x1080，屏幕的像素數量超過200萬個，每個像素由紅綠藍三個子像素構成。如果這是一塊micro LED屏幕，意味著這塊屏幕上有600萬個micro LED芯片。
憑借當代半導體制造工藝，在wafer上生長出600萬個micro LED芯片并不困難，難的是要將這600萬顆micro LED芯片轉移到背板上。業內將這個轉移過程稱為巨量轉移（mass transfer）。即使是市場上高端的mini LED屏，如2021款iPad Pro 12.9"，其背光層也僅有10000顆mini LED而已。因此，巨量轉移是micro LED制造中的一大難點。
針對巨量轉移問題，市場上存在著不同的解決方案。其中，比較主流的兩大類分別是：整片全體轉移和分批拾取放置（pick-and-place）。整片轉移適用于小尺寸屏幕，因為屏幕面板足夠小，所以才可以整片轉移；分批拾取放置的技術難度更大，大屏只能采用這種方案來實現巨量轉移。
巨量轉移不是micro LED面板制造的唯一技術難點，但它是制約大小屏micro LED制造的分水嶺——當然，大屏能做到多大主要取決于成本，三星和索尼首次展示的micro LED大屏電視的成本都超過了百萬美元。
在最近幾年的顯示技術展會上，廠商展示的micro LED產品已經趨向務實。在今年的SID Diplay Week上，天馬微電子、友達光電、錼創科技等廠商展示的micro LED產品，都是面向汽車儀表板、電子紙等小屏應用。當然，即便展示的是大屏應用，目前其參數優勢也并未碾壓OLED/LCD。
現階段的機遇：AR/VR、透明屏、折疊屏
結構上的顯著優勢決定了micro LED高像素密度、高亮度、高對比度、快速響應的特點。高像素密度、高亮度和高對比度可以從結構顯著感知，此前的原型產品展示中，就已經有廠商展示過上萬ppi（每英寸的像素數量）像素密度的顯示屏。
由于micro LED芯片小到像素級別，它可以用單像素不發光來顯示真正的黑色。同時，micro LED顯示器中的超小型LED，在將電轉化為光子方面更為高效，micro LED比OLED、LCD更亮；基于較高的電子遷移率，micro LED的開關速度可達納秒級別。
由于制造工藝的限制，micro LED前期僅適用于小屏，比如格外適用于AR/VR（現實增強/虛擬現實）類應用，包括娛樂的護目鏡產品。
AR/VR對顯示亮度、對比度、像素密度和響應的要求遠高于手機類消費電子產品，LCD、OLED在技術上很難滿足這類應用的需求。很多消費者反饋，現在的AR/VR應用容易致人眩暈，缺乏沉浸感，其實這很大程度是受制于LCD、OLED的技術本身。而micro LED在AR/VR領域的應用顯著克服了這個問題，或許AR/VR未來發展的關鍵，取決于micro LED技術的突破。
另外，micro LED芯片的小型化有利于面板的柔性、透明化，錼創科技就曾展示過柔性+透明的屏幕。“柔性”“透明”“可折疊”正是屏顯技術這兩年來的熱點，在某種程度上是實現行業突破的關鍵。
有分析師從面板供應鏈上游的LED芯片制造商處獲悉，micro LED前期應用會專注于可穿戴設備、AR、VR以及車載小屏產品上，從技術上看是順理成章的事。
值得一提的是，雖然micro LED比LCD/OLED存在著不少技術優勢，但是其中的一部分優勢仍停留在理論階段。比較具有代表性的是EQE（外量子效率）——它可以理解為發光效率。micro LED顯示屏的屏幕結構，相比LCD去掉了液晶、色彩濾鏡、偏振片，相比OLED無需復雜的封裝技術，理論上micro LED顯示屏的發光效率遠高于后兩者。
不過，micro LED極小的尺寸，致使芯片受側壁效應的影響非常大——這是制造過程中出現的工程問題，因此micro LED的實際EQE極為低下，甚至可能還不及LCD、OLED。側壁效應的存在也令micro LED更難量產出理想的大屏應用。所以，市面上現有的micro LED方案都遠未體現micro LED本身的技術優勢。
與LCD/OLED之間的應用互補
micro LED的各種技術挑戰，是諸多市場參與者競相嘗試解決的難題。micro LED的技術特性還決定了未來顯示產業鏈結構的變化，micro LED的小型化讓面板制造進一步向半導體技術傾斜。
舉個簡單的例子，由于micro LED的小型化，使得顯示屏的背板部分由非晶硅或低溫多晶硅TFT（薄膜晶體管）開始向CMOS技術過渡。具體來看，背板是用來控制每個像素點亮、熄滅、灰度級的電路層。較之于非晶硅和低溫多晶硅，單晶硅具備更高的結晶質量和電性質，CMOS開始成為一種選擇。所以一般的IC制造工藝就能做背板的制造了，這是顯示行業與半導體行業進一步融合的顯著表現之一。
CMOS僅限于小尺寸屏幕。在生產大尺寸屏幕時，CMOS也面臨成本問題。因此，非晶硅和低溫多晶硅TFT仍然是大屏micro LED制造的必要技術。
Hendy Consulting對micro LED的早期觀察認為，micro LED供應鏈可能會出現價值轉移。這由其技術特性決定，因micro LED向IC制造逐漸靠攏，給傳統面板廠商的地位發起了挑戰。
預計未來的產業鏈會存在4種可能性：第一種是傳統顯示行業玩家（如三星、LG、京東方）仍然處于中心地位，只是價值會被稀釋；第二種是具備垂直整合能力的廠商，如蘋果收購的LuxVue、谷歌投資的Glo AB，將在micro LED世界中占據統治地位；第三種是新的行業格局構成，行業價值可能向LED芯片制造商、半導體制造商和持有關鍵IP的企業（或多方合作）轉移；第四種則是micro LED可能不會成為市場主流。
從中國大陸、中國臺灣以及韓國這兩年的市場動向來看，micro LED的相關投資正大規模增加，產業鏈的上下游企業也在積極合作。而在2018年之前，micro LED的市場玩家各自為政，不同的企業有不同的技術方向，而且這些技術方向差別甚大。
考慮到micro LED制造技術可能需要以應用為導向，來定制系統性的制造流程——這與LCD/OLED大不一樣。各自為政的局面不利于micro LED的市場發展，而且某一大類技術存在不同的技術方向、沒有共同的標準，只是行業處在發展初期的表現。2020年開始，業內出現了大量合作，這正是micro LED正走向成熟的標志。
其中的市場變數非常大，有分析師認為，Hendy Consulting分析的行業發展方向可能過于簡單。在我們看來，不僅是近1-2年市場投資與合作風向的變化，還在于micro LED未來或許會有個長期發展的可能性。
就像當年OLED出現并未完全取代LCD那樣，micro LED前期作為一種在小屏、AR/VR上具備發展潛力的技術，它極有可能會與OLED、LCD長期并存。只是三者負責的應用方向各不一樣，如micro LED專注于小屏和AR/VR市場，并且在高端市場上吃掉OLED、LCD的部分價值。雖然OLED與LCD的市場規模會縮小，但從技術和市場來看三者將形成微妙的互補關系，而不是micro LED取代OLED或LCD。